HUF75229P3 |
RFQ for HUF75229P3 Required Field |
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| Technical/Catalog Information | HUF75229P3 |
| Vendor | Fairchild Semiconductor |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Through Hole |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 44A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 44A, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1060pF @ 25V |
| Power - Max | 90W |
| Packaging | Tube |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 75nC @ 20V |
| Package / Case | TO-220AB |
| FET Feature | Standard |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | HUF75229P3 HUF75229P3 |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| HUF75229P3 | - | TO-220 | 07+(pb-free) |
This N-Channel power MOSFET is manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, lowvoltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products.
Features |
| • 44A, 50V• Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.022• Temperature Compensating PSPICE Model• Thermal Impedance SPICE Model• Peak Current vs Pulse Width Curve• UIS Rating Curve• Related Literature- TB334, "Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards" |
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UNITS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain to Source Voltage (Note 1) |
VDSS |
50 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain to Gate Voltage (RGS = 20kW) (Note 1) |
VDGR |
50 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Gate to Source Voltage |
VGS |
±20 |
V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain Current Continuous(TC= 25, VGS = 10V) (Figure 2). |
ID |
44 |
A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Drain Current Pulsed Drain Current |
IDM |
Figure 5 |
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| Pulsed Avalanche Rating |
EAS |
Figures 6, 14, 15 |
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| Power Dissipation |
PD |
90 |
W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Derate Above 25oC |
0.6 |
W/ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Operating and Storage Temperature |
TJ,TSTG |
-55 to 175 |
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Maxim
SupplierPost a Buying LeadPDF / DatasheetRelated PDFRelated Models
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